（原标题：TI发力GaN，产能增四倍）

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德州仪器（TI）当天晓喻已开动在日本会津的工场坐蓐氮化镓（GaN）功率半导体。跟着会津厂干涉坐蓐，加上位于德州达拉斯的现存GaN制猖獗业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可加多至四倍之多。

TI 的时候与制造资深副总裁Mohammad Yunus暗意：「以跳动十年的GaN芯片野心与制造专科常识，咱们已得胜考证8吋GaN时候，并在会津张开量产；这是现今推行性最高且最具老本竞争力的GaN制造时候。这个里程碑使咱们领有更多的GaN芯片自有产能，并在2030 年前将里面制造的比率培植至95%以上，同期也让咱们可从多个TI据点进行采购，确保整个高功率、节能半导体GaN居品组合的可靠供应。」

GaN作念为硅的替代决策，这款半导体材料可在好多畛域中提供上风，包括节能、开关速率、电源管理决策尺寸与分量、举座系统老本，以及在高温与高压要求下的性能等。 GaN芯片可提供更高的功率密度，也便是在更小的空间提供更多功率，使其能应用于札记型电脑或当作电话的电源转接器，或是更小、更节能的加热与空调系统和家用电器马达。

TI暗意，咫尺TI已提供最平庸的整合式GaN功率半导体居品组合，从低电压到高电压皆包含在内，借此罢了最为节能、可靠且具高功率密度的电子居品。

TI 的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian暗意：「行使GaN，TI就能更有后果地在工整的空间中提供更高效的功率，这亦然激动咱们浩荡客户翻新的主要市集需求。诸如伺服器电源、太阳能发电和AC/DC转接器等系统的野心师正面对必须要减少功耗并培植动力后果的挑战，他们关于TI高性能GaN芯片可靠供应的需求也绝难一见。TI的整合式GaN功率级居品组合让客户可罢了更高的功率密度、培植易用性，并裁减系统老本。」

此外，凭借TI的专利硅基氮化镓制程、经由跳动8000 万小时的可靠性测试，并具备整合式保护功能，TI的GaN芯片能确保高电压系统安全无虞。

TI强调，新产能使用现今市面上起首进的建树来制造GaN芯片，因此可培植居品质能与制程后果，同期还能提供老本上风。加多GaN制造畛域的性能上风使其可将GaN芯片培植至较高的电压，从900伏特开动，跟着时候推移加多至更高的电压，借此进一步激动机器东说念主、再活泼力和伺服器电源等应用的动力后果与尺寸翻新。

此外，TI的扩大投资包含于本年稍早在12吋晶圆上得胜进行GaN制造的试行功课。 TI握续扩大的GaN制程时候不错富余改换至12吋晶圆上，让其能随时阐明客户需求进行诊疗，并在曩昔移转至透过12吋时候进行坐蓐。

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